Substrats en verre borosilicaté optique de haute clarté dans les semi-conducteurs

Substrats de verre borosilicate optique de haute clarté dans les semi-conducteurs

Matériau:

• Composition de base: principalement dioxyde de silicium (SiO2) et trioxyde de bore (B2O3), avec une teneur minimale en alcalis.

• Fabrication: Produit par fusion continue dans des fours recouverts de platine pour assurer une pureté et une homogénéité extrêmes.

• Additifs clés: ajouts précis d'alumine (Al2O3) pour la stabilité chimique et les agents de raffinage pour éliminer les bulles/impuretés.

Propriétés clés:

1. Clarté optique exceptionnelle: transmission de lumière ultra-haute (> 90%) à travers les spectres UV à NIR (par exemple, 185 nm-2 μm), autofluorescence minimale.

2. Faible expansion thermique (CTE): CTE extrêmement faible (∼3,3 × 10−6/K à 20 °C), correspondant aux plaquettes de silicium pour prévenir les défaillances induites par le stress pendant le cycle thermique.

3. Résistance thermique et chimique supérieure: résiste à des processus de semi-conducteurs agressifs:

   • Thermic: stable jusqu'à 500°C; résiste au choc thermique dû à un chauffage/un refroidissement rapide.

   • Chimique: inerte aux acides, aux alcalis et aux solvants (par exemple, développeurs photorésistants, écorceurs).

4. Haute qualité de surface: l'élasticité quasi atomique (< 0,5 nm Ra) est essentielle pour la nanolithographie et le dépôt de film mince.

5. Faible contamination ionique: une migration minimale d'ions alcalins (Na+, K+) empêche la contamination de l'appareil.

6. Stabilité mécanique: le modulus de Young's élevé (∼64 GPa) assure une rigidité dimensionnelle sous contrainte de traitement.

Fonction principale:

• Pour servir de plate-forme inerte ultra-stable pour les processus de fabrication de semi-conducteurs.

• Fournit une surface exempte de défauts pour les modèles à haute résolution (par exemple, les masques photographiques EUV).

• Il agit comme une fenêtre de protection pour les capteurs et les optiques dans des environnements difficiles.

• Permet une transmission lumineuse précise pour les systèmes d'inspection, de métrologie et de lithographie.

Principales applications dans le domaine des semi-conducteurs:

1. Masques blancs de photomasque: Matériau de base pour les masques de photolithographie EUV/ArF nécessitant des défauts presque nuls.

2. couvertures pour MEMS et capteurs: couvertures hermétiques pour capteurs de pression, détecteurs IR et dispositifs MEMS.

3. Composants de traitement des wafers: plaques de support, fenêtres d'inspection et étapes d'alignement dans les outils de traitement des wafers.

4. Emballage avancé: interposants et substrats pour l'intégration de circuits intégrés 2.5D/3D.

5. Optique de l'équipement de traitement: lentilles, points de vue et miroirs dans les graveurs à plasma, les chambres CVD et les outils laser.

6. Métrologie et inspection: essentiel pour les systèmes d'alignement de haute précision et les scanners de défauts.

En résumé:Substrats de verre borosilicate optique de haute clartéCe sont des matériaux d'ingénierie thermiquement stables et extrêmement purs, essentiels pour la fabrication de semi-conducteurs, leur combinaison unique de transmission optique presque parfaite, expansion thermique presque nulle,l'inertie chimique, et la planéité de surface au niveau atomique permet une précision à l'échelle nanométrique en photolithographie, protège les composants sensibles et assure la fiabilité dans des environnements de processus extrêmes.Ces substrats soutiennent directement le rendement et les performances dans les nœuds avancés (e.g., sous-5 nm), la production de MEMS et l'emballage de nouvelle génération.